首頁(yè) > 信息動(dòng)態(tài)
> 點(diǎn)膠新聞
點(diǎn)膠新聞
點(diǎn)膠加工怎樣做電磁屏蔽
來(lái)源：www.daiwaroynethotelhiroshima.com 發(fā)布時(shí)間：2013年12月24日
蔽體的有效性用屏蔽效能來(lái)度量。屏蔽效能是沒(méi)有屏蔽時(shí)空間某個(gè)位置的場(chǎng)強(qiáng)E1與有屏蔽時(shí)該位置的場(chǎng)強(qiáng)E2的比值，它表征了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至百萬(wàn)分之一，因此通常用分貝來(lái)表述屏蔽效能，這時(shí)屏蔽效能的定義公式為：
SE = 20 lg ( E1/ E2 ) (dB)
用這個(gè)定義式只能測(cè)試屏蔽材料的屏蔽效能，而無(wú)法確定應(yīng)該使用什么材料做屏蔽體。要確定使用什么材料制造屏蔽體，需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數(shù)有關(guān)。工程中實(shí)用的表征材料屏蔽效能的公式為：
SE = A + R (dB)
式中的A稱為屏蔽材料的吸收損耗，是電磁波在屏蔽材料中傳播時(shí)發(fā)生的，計(jì)算公式為：
A=3.34t（fμrσr） (dB)
t = 材料的厚度，μr = 材料的磁導(dǎo)率，σr = 材料的電導(dǎo)率，對(duì)于特定的材料，這些都是已知的。f = 被屏蔽電磁波的頻率。
式中的R稱為屏蔽材料的反射損耗，是當(dāng)電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時(shí)發(fā)生的，計(jì)算公式為：
R=20lg（ZW/ZS） (dB)
式中，Zw=電磁波的波阻抗，Zs=屏蔽材料的特性阻抗。
SE = 20 lg ( E1/ E2 ) (dB)
用這個(gè)定義式只能測(cè)試屏蔽材料的屏蔽效能，而無(wú)法確定應(yīng)該使用什么材料做屏蔽體。要確定使用什么材料制造屏蔽體，需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數(shù)有關(guān)。工程中實(shí)用的表征材料屏蔽效能的公式為：
SE = A + R (dB)
式中的A稱為屏蔽材料的吸收損耗，是電磁波在屏蔽材料中傳播時(shí)發(fā)生的，計(jì)算公式為：
A=3.34t（fμrσr） (dB)
t = 材料的厚度，μr = 材料的磁導(dǎo)率，σr = 材料的電導(dǎo)率，對(duì)于特定的材料，這些都是已知的。f = 被屏蔽電磁波的頻率。
式中的R稱為屏蔽材料的反射損耗，是當(dāng)電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時(shí)發(fā)生的，計(jì)算公式為：
R=20lg（ZW/ZS） (dB)
式中，Zw=電磁波的波阻抗，Zs=屏蔽材料的特性阻抗。
相關(guān)產(chǎn)品
相關(guān)文章
- 點(diǎn)膠加工寬度設(shè)計(jì)2013年12月09日
- 點(diǎn)膠加工導(dǎo)電膠特點(diǎn)2013年12月12日
- 點(diǎn)膠加工應(yīng)注意的問(wèn)題2013年12月12日
- 電磁屏蔽點(diǎn)膠加工2013年12月16日
- 點(diǎn)膠加工的作用電磁屏蔽2013年12月16日